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pp电子首页|高功率1470nm半导体激光器设计与制作


本文摘要:1.章节  半导体激光器使用III-V化合物为其有源介质,一般来说通过电流经,在有源区通过电子与空穴填充将流经的电能量切换为光子能量。

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1.章节  半导体激光器使用III-V化合物为其有源介质,一般来说通过电流经,在有源区通过电子与空穴填充将流经的电能量切换为光子能量。与固态或气体激光比起,半导体激光具备十分明显的特点:1)能量切换效率高,比如典型的808nm高功率激光的最低电光切换效率可以高达65%以上[1],与之沦为独特对照的是,CO2气体激光的能量切换效率仅有10%,而使用传统灯光泵浦的固态激光的能量切换效率更加较低,只有1%左右;2)体积小。  一个出射功率多达10W的半导体激光芯片尺寸约为0.3mm3,而一台固态激光更加有可能占有实验室的整整一张工作台;3)可靠性低,平均寿命估算可以宽约数十万小时[2];4)价格低廉。

半导体激光也某种程度遵守集成电路工业中的摩尔定律,即性能指标随时间以指数下降的趋势提高,而价格则随时间以指数形式上升。正是因为半导体激光的上述优点,使其越来越普遍地应用于到国计民生的各个方面,诸如工业应用于、信息技术、激光表明、激光医疗以及科学研究与国防应用于。

高功率激光芯片有若干最重要技术指标,还包括能量切换效率以及器件运营可靠性等。器件的能量切换效率主要各不相同芯片的外延结构与器件结构设计,而运营可靠性主要与芯片的腔面处理工艺有关。

本文首先详细讲解深圳瑞波光电子有限公司高功率激光的设计思想以及腔面处置方法,随后展出深圳清华大学研究院和深圳瑞波光电子有限公司在研发1470nm高功率单管激光芯片方面所获得的主要进展。  2.1470nm高功率激光外延结构与器件结构设计    图1.半导体激光外延结构示意图  图2.。


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